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2SC3326	文件：43.36 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNEpitaxial Features ●Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min). ●HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA). ●Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA). ●HighDCcurrentgain:hFE=200~1200. ●Smallpackage.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3326	文件：177.97 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(FORMUTINGANDSWITCHINGAPPLICATIONS) ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3326	文件：512 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)ForMutingandSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3326	文件：895.19 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC3326	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3326	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3326A	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3326-B	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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深圳市晴轩时代电子有限公司	2SC3326-B,LF(T	TOSHIBA/东芝	21+	SOT-23(SOT-23-3)	8800	公司只做原装正品	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC3326-B,LF(T	TOSHIBA/东芝	2020+	SOT-23(SOT-23-3)	7600		询价
深圳市斌能达电子科技有限公司	2SC3326-B,LF(T	TOSHIBA/东芝	2023+	SOT-23(SOT-23-3)	6000	全新原装深圳仓库现货有单必成	询价
深圳市鑫炜纳电子有限公司	2SC3326-B,LF(T	TOSHIBA/东芝	2022+	SOT-23(SOT-23-3)	7600	原厂原装,假一罚十	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	2SC3326-B,LF(T	TOSHIBA/东芝	21+	SOT-23(SOT-23-3)	13880	公司只售原装,支持实单	询价
成都恒昌芯业科技有限公司	2SC3326-B,LF(T	TOSHIBA	0	*	1000	全新、原装	询价
深圳市华高宇电子有限公司	2SC3326-B,LF(T	TOSHIBA/东芝		SOT-23(SOT-23-3)	6000	只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	2SC3326-B,LF(T	TOSHIBA/东芝	23+	SOT-23(SOT-23-3)	8080	原装正品，支持实单	询价

更多2SC3326-B,LF(T供应商更新时间2024-5-2 15:00:00

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