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2SC3326-A,LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 0.3A TO236	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3326	文件：43.36 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNEpitaxial Features ●Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min). ●HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA). ●Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA). ●HighDCcurrentgain:hFE=200~1200. ●Smallpackage.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3326	文件：177.97 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(FORMUTINGANDSWITCHINGAPPLICATIONS) ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3326	文件：512 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)ForMutingandSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3326	文件：895.19 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC3326	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3326	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3326A	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3326-B	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
2SC3326-A,LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 3mA，30mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 4mA，2V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236
描述：
TRANS NPN 20V 0.3A TO236

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC3326-A供应商更新时间2024-4-29 10:50:00

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