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2SC3324GRTE85LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 120V 0.1A TO236	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC3324	文件：36.28 Kbytes Page：1 Pages	SiliconNPNEpitaxial Features HighvoltageVCEO=120V HighhFE.hFE=200to700 Lownoise. Smallpackage.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3324	文件：218.25 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(AUDIOFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyLowNoiseAmplifierApplications •Highvoltage:VCEO=120V •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=200~700 •Lownoise:NF(2)=0.2dB(typ.),3dB(max) •Complementaryto2SA1312 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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产品属性

产品编号：
2SC3324GRTE85LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，6V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236
描述：
TRANS NPN 120V 0.1A TO236

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