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2SC3112	文件：459.63 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)ForAudioAmplifierandSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC3112	文件：159.01 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(FORAUDIOAMPLIFIERANDSWITCHINGAPPLICATIONS) ForAudioAmplifierandSwitchingApplications •HighDCcurrentgain:hFE=600~3600 •Highbreakdownvoltage:VCEO=50V •Highcollectorcurrent:IC=150mA(max)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
ST-2SC3112	文件：226.73 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeandswitchingapplications.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司

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SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)ForAudioAmplifierandSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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TRANSISTOR(FORAUDIOAMPLIFIERANDSWITCHINGAPPLICATIONS)

ForAudioAmplifierandSwitchingApplications •HighDCcurrentgain:hFE=600~3600 •Highbreakdownvoltage:VCEO=50V •Highcollectorcurrent:IC=150mA(max)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeandswitchingapplications.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

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