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2SC2884	文件：126.7 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2884	文件：341.34 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●Complementaryto2SA1204 ●HighDCCurrentGain APPLICATIONS ●AudioFrequencyAmplifier	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SC2884	文件：161.94 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyAmplifierApplications •HighDCcurrentgain:hFE=100to320 •Suitableforoutputstageof1wattsamplifier •Smallflatpackage •PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) •Complementaryto2SA1204	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2884	文件：358.53 Kbytes Page：2 Pages	AudioFrequencyAmplifierApplications ■Features ●Suitableforoutputstageof1wattsamplifier ●Smallflatpackage ●PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) ●Complementaryto2SA1204	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2884	文件：1.07178 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●Complementaryto2SA1204 ●HighDCCurrentGain APPLICATIONS ●AudioFrequencyAmplifier	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC2884	文件：1.21023 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features HighhFE,foroutstageof1wattsamplifier,complementaryto2SA1204. Applications Audiofrequencyamplifierapplications	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC2884	文件：78.13 Kbytes Page：1 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●SmallFlatPackage ●Complementaryto2SA1204 ●HighDCCurrentGain	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2884	文件：169.95 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •Suitableforoutputstageof3wattsamplifier. •HighDCcurrentgain. •Smallflatpackage. •PC=1.0to2.0W. •Complementsthe2SA1204.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2SC2884	文件：173.38 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.8A Collector-basevoltage V(BR)CBO:35V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC2884	文件：102.31 Kbytes Page：2 Pages	Suitableforoutputstageof3wattsamplifier. FEATURES •Suitableforoutputstageof3wattsamplifier. •HighDCcurrentgain. •Smallflatpackage. •PC=1.0to2.0W. •Complementsthe2SA1204.	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
2SC2884	文件：133.3 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyAmplifierApplications AudioFrequencyAmplifierApplications •HighDCcurrentgain:hFE=100to320 •Suitableforoutputstageof1wattsamplifier •Smallflatpackage •PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) •Complementaryto2SA1204	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2884	文件：159.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Suitableforoutputstageof1wattsamplifier. ●HighDCcurrentgain. ●Smallflatpackage. ●PC=1.0to2.0W. ●Complementsthe2SA1204.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC2884	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2884	文件：442.7 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES Suitableforoutputstageof1watts amplifier. HighDCcurrentgain. Smallflatpackage. PC=1.0to2.0W. Complementsthe2SA1204.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC2884-O	文件：977.56 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2884-O	文件：78.13 Kbytes Page：1 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●SmallFlatPackage ●Complementaryto2SA1204 ●HighDCCurrentGain	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2884-O-HF	文件：1.18252 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2884Y	文件：380.33 Kbytes Page：2 Pages	NPN-Generalusetransistor NPN-Generalusetransistor 1W、1.5A、25V Applications： Canbeusedforswitchingandamplifyinginvariouselectricaland electronicequipments	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC2884-Y	文件：133.3 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyAmplifierApplications AudioFrequencyAmplifierApplications •HighDCcurrentgain:hFE=100to320 •Suitableforoutputstageof1wattsamplifier •Smallflatpackage •PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) •Complementaryto2SA1204	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2884-Y	文件：78.13 Kbytes Page：1 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●SmallFlatPackage ●Complementaryto2SA1204 ●HighDCCurrentGain	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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详细参数

型号：
2SC2884-Y(C,F)
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor NPN 30V 0.8A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SC2884-Y(PY)	TOSHIBA	07+pb-Free	SOT89	10000		询价
深圳市振宏微科技有限公司	2SC2884-Y(TE12L	TOSHIBA	23+	NA	128	专做原装正品,假一罚百!	询价
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深圳市威雅利发展有限公司	2SC2884-Y(TE12LCF	TOSHIBA	14+	SOT89	698	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	2SC2884-Y(TE12LCF	TOSHIBA	2023+	SOT89	700000	柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分	询价
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更多2SC2884-Y(C,F)供应商更新时间2024-6-9 16:30:00

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