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2SC2879A	文件：189.81 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE) 2~30MHzSSBLINEARPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS (LOWSUPPLYVOLTAGEUSE) ●Specified12.5V,28MHzCharacteristics ●OutputPower:Po=100WPEP ●PowerGain:Gp=13dB ●CollectorEfficiency:ηC=35(Min.) ●IntermodulationDistortion:IMD=−24dB(Max.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2879	文件：134.74 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(2~30MHzSSBLINEARPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)(LOWSUPPLYVOLTAGEUSE) 2~30MHzSSBLINEARPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS (LOWSUPPLYVOLTAGEUSE) ●Specified12.5V,28MHzCharacteristics ●OutputPower:Po=100WPEP ●PowerGain:Gp=13dB ●CollectorEfficiency:ηC=35(Min.) ●IntermodulationDistortion:IMD=−24dB(Max.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2879	文件：68.06 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI2SC2879isa12.5VtransistordesignedprimarilyforSSBlinearpoweramplifierapplicationsupto28MHz. FEATURES: •PG=13Typ.min.at100W/28MHz •IMD3=-24dBcmax.at100W(PEP) •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI

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SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE)

2~30MHzSSBLINEARPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS (LOWSUPPLYVOLTAGEUSE) ●Specified12.5V,28MHzCharacteristics ●OutputPower:Po=100WPEP ●PowerGain:Gp=13dB ●CollectorEfficiency:ηC=35(Min.) ●IntermodulationDistortion:IMD=−24dB(Max.)

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NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASI2SC2879isa12.5VtransistordesignedprimarilyforSSBlinearpoweramplifierapplicationsupto28MHz. FEATURES: •PG=13Typ.min.at100W/28MHz •IMD3=-24dBcmax.at100W(PEP) •Omnigold™MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor, Inc

ASI

详细参数

型号：
2SC2879A
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
Trans GP BJT NPN 18V 25A 4-Pin 2-13B1A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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