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2SC2570

Electrical characterlitics

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2SC2570

General Purpose Diodes

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2SC2570A

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR DESCRIPTION The2SC2570AisdesignedforuseinLowNoiseAmplifierofVHF&UHFstages. FEATURES •Lownoiseandhighgain:NF=1.5dBTYP.,Ga=8dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=10V,IC=5.0mA •Widedynamicrange:

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

2SC2570A

isc Silicon NPN RF Transistor

DESCRIPTION •LowNoiseandHighGain NF=1.5dBTYP. Ga=8dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=10V,IC=5mA •WideDynamicRange NF=1.9dBTYP. Ga=9dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=10V,IC=15mA APPLICATIONS •Designedforuseinlow-noiseamplifierofVHF~UHFstages.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SC2570A-T

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR DESCRIPTION The2SC2570AisdesignedforuseinLowNoiseAmplifierofVHF&UHFstages. FEATURES •Lownoiseandhighgain:NF=1.5dBTYP.,Ga=8dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=10V,IC=5.0mA •Widedynamicrange:

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

2SC2570A

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

晶体管资料

  • 型号:

    2SC2570

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    超高频/特高频 (UHF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    25V

  • 最大电流允许值:

    0.07A

  • 最大工作频率:

    5GHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2G913C,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-21

  • vtest:

    25

  • htest:

    5000000000

  • atest:

    .07

  • wtest:

    0

详细参数

  • 型号:

    2SC2570

  • 制造商:

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述:

    DISCD TRANSISTOR SUBBING WITH 2SC2570A

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TO-3
10000
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NEC
2022
TO-92
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NEC
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TO-92
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原装现货,价格优惠,假一罚十
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更多2SC2570供应商 更新时间2024-9-20 16:30:00