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2SB1386L-R-AB3-B-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1386L-R-AB3-C-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1386L-R-AB3-E-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1386	文件：107.17 Kbytes Page：5 Pages	LowFrequencyTransistor(-20V,-5A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2098/2SD2118/2SD2097/2SD2166.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1386	文件：151.05 Kbytes Page：6 Pages	EpitaxialPlanarTransistorPNPSilicon EpitaxialPlanarTransistor PNPSilicon	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SB1386	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1386	文件：139.65 Kbytes Page：5 Pages	Lowfrequencytransistor(−20V,−5A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1386	文件：51.74 Kbytes Page：1 Pages	LowFrequencyTransistor Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1386	文件：112.23 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconLowFrequencyTransistor FEATURES ●LowVCE(sat) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ●Complementsthe2SD2098	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SB1386	文件：512.83 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconLowFrequencyTransistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SB1386	文件：178.8 Kbytes Page：5 Pages	LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1386	文件：396.36 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage, ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SB1386	文件：1.55454 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SB1386	文件：192.09 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •Lowcollectorsaturationvoltage, •Execllentcurrent-to-gaincharacteristics	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2SB1386	文件：862.72 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentDCcurrentgain,complementsthe2SD2098. Applications Generalpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SB1386	文件：1.95535 Mbytes Page：4 Pages	Lowcollectorsaturationvoltage FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2SB1386	文件：185.79 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●LowVCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. ●Complementary:2SD2098. APPLICATIONS ●Lowfrequencytransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SB1386	文件：786.02 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SB1386	文件：474.45 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
2SB1386	文件：490.25 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES LowVCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. Complementary:2SD2098. APPLICATIONS Lowfrequencytransistor.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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