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2SB1318中文资料PDF规格书

2SB1318
厂商型号

2SB1318

功能描述

Darlington Transistor BUILT-IN DUMPER DIODE AT E-C

文件大小

120.64 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-6 13:38:00

晶体管资料

  • 型号:

    2SB1318

  • 别名:

    2SB1318三极管、2SB1318晶体管、2SB1318晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SB1484,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

    β>2000

  • 图片代号:

    A-68

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    1

2SB1318规格书详情

DESCRIPTION

The 2SB1318 is a darlington transistor built-in dumper diode at E-C.

It is suitable for use to operate from IC without predriver, such as hammer driver.

FEATURES

● High DC Current Gain.

● Low Collector Saturation Voltage.

● Built-in a dumper diode at E-C.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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