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2SB1259	文件：26.07 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Driver for Solenoid, Relay and Motor and General Purpose)	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
2SB1259	文件：267.57 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1259	文件：36.52 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
2SB1259	文件：128.44 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SB1259	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 120V 10A TO220F	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
2SB1259_07	文件：36.05 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken

晶体管资料

型号：
2SB1259
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT62CF,BDT64CF,2SA1720,2SB1100,2SB1108,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β=1000
图片代号：
B-97
vtest：
120
htest：
100000000
atest：
10
wtest：
30

产品属性

产品编号：
2SB1259
制造商：
Sanken
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 10mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 5A，4V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F
描述：
TRANS PNP DARL 120V 10A TO220F

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