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2SB1181TLP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 1A CPT3	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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2SB1181	文件：80.41 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor Features 1)Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=−80V,IC=−1A 2)GoodhFElinearity. 3)LowVCE(sat). 4)Complementsthe2SD1898/2SD1863/2SD1733.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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2SB1181	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(??0V,??A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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2SB1181-Q	文件：1.11687 Mbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1181-R	文件：1.11687 Mbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1181TLQ	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(??0V,??A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

产品属性

产品编号：
2SB1181TLP
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
82 @ 100mA，3V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
CPT3
描述：
TRANS PNP 80V 1A CPT3

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