| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NECTO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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进口原装CAN |
4560 |
23+ |
优势库存 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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STCAN to-39 |
16900 |
23+ |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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NECCAN3 |
8858 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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STCAN to-39 |
16900 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市星佑电子有限公司3年
留言
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STCAN to-39 |
16900 |
22+ |
支持样品 原装现货 提供技术支持! |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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NECCAN3 |
6540 |
2021+ |
原装现货/欢迎来电咨询 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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ROHMTO-220 |
38560 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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TOSHIBA/东芝TO126 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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SANYOTO-220 |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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日立TO-247 |
3000 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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日立MT-100 |
3200 |
22+ |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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PANASONIC/松下TO-92 |
9852 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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PanasonicTO92 |
3365 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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PANASONIC/松下TO-92 |
90000 |
23+ |
只做原装 全系列供应 价格优势 可开增票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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PANASONICTO-92B1 |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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N/ATO-92S(TP) |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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NECTO-220F |
880000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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HITACHITOP-3A |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-92L |
608900 |
HGF |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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2SB103图片
2SB1035中文资料Alldatasheet PDF
更多2SB103制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-5 -30V -.1A .125W
2SB1030制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1030/2SB1030A功能描述:2SB1030. 2SB1030A - PNP Transistor
2SB1030A功能描述:TRANS PNP AF AMP 50V 500MA NEW S RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1030ARA功能描述:TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1031制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON NPN EPITAXIAL LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER HIGH CURRENT SWITCHING
2SB1031K制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1435K
2SB1032制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Triple Diffused
2SB1032(K)制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Triple Diffused
2SB1032K制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Triple Diffused
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Ge-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_TR_输出极 （E）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
30V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
AC128,AC153,AC188,2N1102,2N1102,2N1103,2N1104,3AX52B,
- 最大耗散功率：
0.125W
- 放大倍数：
- 图片代号：
D-9
- vtest：
30
- htest：
999900
- atest：
.1
- wtest：
.125
