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2SA673ADTZ-E	文件：60.34 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Epitaxial	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SA673	文件：133.33 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURE Powerdissipation PCM:0.4W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-35V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
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2SA673	文件：1.45116 Mbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features LowFrequencyAmplifier ComplementaryPairwith2SC1213	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
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详细参数

型号：
2SA673ADTZ-E
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon PNP Epitaxial

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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