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2SA608NG-NPA-AT	文件：267.61 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor BipolarTransistor (–)50V,(–)150mA,LowVCE(sat)(PNP)NPNSingleNPA-WA Features •LargecurrentcapacityandwideASO Applications •Capableofbeingusedinthelowfrequencytohighfrequencyrange	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA608NG-NPA-AT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 0.15A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA608	文件：40.84 Kbytes Page：4 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Applications ·Capableofbeingusedinthelowfrequencytohighfrequencyrange. Features ·LargecurrentcapacityandwideASO.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SA608	文件：66.62 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:400mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-100mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA608	文件：434.3 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES Capableofbeingusedinthelowfrequencytohighfrequencyrange. LargecurrentcapacityandwideASO.	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SA608	文件：278.6 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSEAMP,SWITCHINGAPPLICATIONS PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistors General-PurposeAmp,SwitchingApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SA608	文件：134.14 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:400mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-100mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SA608	文件：268.66 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SA608	文件：1.1089 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features The2SA608(K)isclassifiedinto2typesofS,NPaccordingtothecaseoutline. Applications General-purposeAMP,switchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SA608K	文件：278.6 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSEAMP,SWITCHINGAPPLICATIONS PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistors General-PurposeAmp,SwitchingApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SA608K	文件：1.1089 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features The2SA608(K)isclassifiedinto2typesofS,NPaccordingtothecaseoutline. Applications General-purposeAMP,switchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SA608N	文件：134.91 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.15A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SA608N	文件：504.05 Kbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LargeCurrentCapacityandWideASO. APPLICATIONS ●CapableofBeingUsedinTheLowFrequencytoHighFrequencyRange.	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA608N	文件：40.84 Kbytes Page：4 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Applications ·Capableofbeingusedinthelowfrequencytohighfrequencyrange. Features ·LargecurrentcapacityandwideASO.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SA608N	文件：83.48 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •LargecurrentcapacityandwideASO. APPLICATIONS •Capableofbeingusedinthelowfrequencytohighfrequencyrange.	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SA608N	文件：64.47 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.15A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA608NF-NPA-AT	文件：267.61 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor BipolarTransistor (–)50V,(–)150mA,LowVCE(sat)(PNP)NPNSingleNPA-WA Features •LargecurrentcapacityandwideASO Applications •Capableofbeingusedinthelowfrequencytohighfrequencyrange	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA608S	文件：39.86 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:300mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-100mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA608S	文件：63.7 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA608S	文件：107.74 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:300mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-100mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

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产品属性

产品编号：
2SA608NG-NPA-AT
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
280 @ 1mA，6V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 50V 0.15A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市航润创能电子集团有限公司	2SA608NG-NPA-AT	SANYO	21+	TO-92	4500	原装现货假一赔十	询价
深圳市恒意法电子有限公司	2SA608NG-NPA-AT	onsemi	21+	TO-252(DPAK)	21000	专业分立半导体,原装渠道正品现货	询价
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更多2SA608NG-NPA-AT供应商更新时间2024-5-3 17:24:00

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