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2SA2018	文件：145.28 Kbytes Page：3 Pages	Lowfrequencytransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA2018	文件：181.04 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneraPurposeTransistors FEATURES: Acollectorcurrentislarge. LowVCE(sat).VCE(sat)≤-250mV@IC=-200mA/IB=-10mA	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SA2018	文件：1.70288 Mbytes Page：12 Pages	Lowfrequencytransistor(-12V,-500mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA2018	文件：1.00515 Mbytes Page：4 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Acollectorcurrentislarge. ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-250mVatIC=-200mA/IB=-10mA	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA2018	文件：155.54 Kbytes Page：4 Pages	LOWFREQUENCYTRANSISTOR	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA2018	文件：169.72 Kbytes Page：4 Pages	LOWFREQUENCYTRANSISTOR FEATURES ●Acollcetercurrentislarge. ●Collectersaturationvoltageislow. VCE(sat)≤250mVAtIC=-200mA/IB=-10mA APPLICATIONS ●Forswitching,formuting.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA2018	文件：80.68 Kbytes Page：3 Pages	Lowfrequencytransistor Features 1)Highcurrent. 2)Collector-Emittersaturationvoltageislow. VCE(sat)≦250mAatIC=-200mA/IB=-10mA Application LOWFREQUENCYAMPLIFIER,DRIVER	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA2018	文件：35.33 Kbytes Page：1 Pages	LowFrequencyTransistor Features ●Acollectorcurrentislarge ●Collectorsaturationvoltageislow.VCE(sat)≤250mAatIC=200mA/IB=10mA	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA2018F	文件：143.4 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES HighCollectorCurrent LowVCE(sat)-VCE(sat)≤-250mVatIC=-200mA/IB=-10mA	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS

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