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2SA1930(Q,M)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 180V 2A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930	文件：119.12 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplicationsDriverStageAmplifierApplications POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS. DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1930	文件：67.79 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •HighTransitionFrenquency:fr=200MHz(Typ.) •Complementaryto2SC5171 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Driverstageamplifierapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SA1930	文件：1.00528 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Features HighfT,complementarypairwith2SC5171. Applications Generalpoweranddriverstageamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SA1930	文件：88.78 Kbytes Page：2 Pages	Complementaryto2SC5171 DESCRIPTION ·HighTransitionFrenquency:fT=200MHz(Typ.) ·Complementaryto2SC5171 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1930	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1930I	文件：876.75 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-251PlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-251PlasticPackage. Features HighfT,complementarypairwith2SC5171I. Applications Generalpoweranddriverstageamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SA1930S	文件：922.4 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-126PlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126PlasticPackage. Features HighfT,complementarypairwith2SC5171S. Applications Generalpoweranddriverstageamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

产品属性

产品编号：
2SA1930(Q,M)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220NIS
描述：
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
千层芯半导体(深圳)有限公司	2SA1930(Q,M)	TOSHIBA	17+	原厂封装	4590	全新原装	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	2SA1930(Q,M)	Toshiba	2022+	原厂原包装	8600	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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更多2SA1930(Q,M)供应商更新时间2024-5-21 16:57:00

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