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2SA1162	文件：153.83 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA) =0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~400 •Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：391.18 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：270.47 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoise:NF=1dB(Typ),10dB(Max). ●Commplementaryto2SC2712. ●Smallpackage. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1162	文件：104.56 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：69.45 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:150mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:150mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA1162	文件：324.09 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES •LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) •Complementsofthe2SC2712 MECHANICALDATA •Case:SOT-23,MoldedPlastic •Weight:0.008grams(approx.)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1162	文件：332.12 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1162	文件：312.92 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES .Lownoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) .Complementaryto2SC2712. .SmallPackage. MARKING:SO,SY,SG	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SA1162	文件：86.92 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPEpitaxialTypeTransistor ■Features ●Highvoltageandhighcurrent ●HighhFE:hFE=70~400 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) ●Complementaryto2SC2712	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1162	文件：178.67 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA) =0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~400 •Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：195.07 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1162	文件：189.37 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA) =0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~400 •Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：1.11548 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lownoise ●Complementaryto2SC2712 ●SmallPackage	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA1162	文件：222.34 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES PNPGeneralPurposeTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
2SA1162	文件：98.23 Kbytes Page：1 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR LOWFREQRENCY,LOWNOISEAMPLIFIER •Complemento2SC2712 •Collector-current:Ic=-100mA Collector-EmillerVoltage:VCE=-45V	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SA1162	文件：200.74 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lownoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) Complementaryto2SC2712. SmallPackage.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2SA1162	文件：699.19 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highvoltageandcurrent,excellenthFElinearity,highhFE,lownoise,complementaryto2SC2712. Applications Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SA1162	文件：410.41 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPEpitaxialTypeTransistor	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
2SA1162	文件：639.74 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors ■Features ●Highvoltageandhighcurrent ●HighhFE:hFE=70~400 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) ●Complementaryto2SC2712	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SA1162	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	NewJerseySemi-ConductorProducts, NewJerseySemi-ConductorProducts	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
2SA1162-Y(TLSPF,T)
功能描述：
两极晶体管 - BJT SM SIG POWER TRANS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿国际（香港）有限公司	2SA1162-Y,LF	TOSHIBA(东芝)	2112+	SOT-23(SOT-23-3)	105000	3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
深圳市大源实业科技有限公司	2SA1162-Y,LF	TOSHIBA/东芝	22+	SOT-23(SOT-23-3)	258500	优势价格原装现货提供BOM一站式配单服务	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SA1162-Y,LF	TOSHIBA/东芝	23+	SOT23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SA1162-Y,LF	TOSHIBA/东芝	2020+	SOT-23(SOT-23-3)	7600		询价
深圳市斌能达电子科技有限公司	2SA1162-Y,LF	TOSHIBA/东芝	2023+	SOT-23(SOT-23-3)	6000	全新原装深圳仓库现货有单必成	询价
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深圳廊盛科技有限公司	2SA1162-Y,LF	TOSHIBA/东芝	2022	SOT23	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
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更多2SA1162-Y(TLSPF,T)供应商更新时间2024-6-17 15:03:00

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