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2PB1219	文件：42.33 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323;SC70plasticpackage. NPNcomplement:2PD1820A. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.50V) •Lowcollector-emittersaturationvoltage(max.600mV). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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2PB1219A	文件：391.77 Kbytes Page：7 Pages	PNPgeneralpurposetransistor FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.50V) •Lowcollector-emittersaturationvoltage(max.600mV).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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2PB1219AQ	文件：42.33 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323;SC70plasticpackage. NPNcomplement:2PD1820A. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.50V) •Lowcollector-emittersaturationvoltage(max.600mV). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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详细参数

型号：
2PB1219AS T/R
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2PB1219AS T/R供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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