2N7000G中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
2N7000G规格书详情
Description
This Power MOSFET is the second generation of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Features
■ Low Qg
■ Low threshold drive
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
2N7000G
- 功能描述：
MOSFET 60V 200mA N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
TO92 |
5000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
Onsemi |
23+ |
TO92 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
2048+ |
TO-92 |
6541 |
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询价 | ||
ON |
11+ |
3180 |
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询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
TO-92 |
9850 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
9048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
3432 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
10+ |
TO-92 |
10875 |
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询价 | ||
on |
21+ |
to-92 |
3489 |
原装现货假一赔十 |
询价 |
