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2N6660-E3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY TO39	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体相关企业：深圳市豪迈兴电子有限公司	Vishay
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2N6660-E3	文件：0 bytes Page：0 Pages	SI NA	SPT Signal Processing Technologies, Inc. 相关企业：深圳市弘为电子有限公司	SPT
2N6660-E3	文件：0 bytes Page：0 Pages	SI NA	SILICONMOTIONSilicon Motion Technology Corp. 慧荣科技相关企业：深圳市弘为电子有限公司	SILICONMOTION
2N6660-E3	文件：0 bytes Page：0 Pages	SI NA	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社相关企业：深圳市弘为电子有限公司	SII

详细参数

型号：
2N6660-E3
功能描述：
MOSFET 60V 0.99A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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