2N6427G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
2N6427G |
| 参数属性 | 2N6427G 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 长体；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92 |
| 功能描述 | Darlington Transistors NPN Silicon |
| 文件大小 |
79.2 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-4 9:52:00 |
2N6427G规格书详情
2N6427G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。安森美半导体公司制造生产的2N6427G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号：
2N6427G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500µA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20000 @ 100mA，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
- 供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
22+ |
TO-92 |
12800 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
1535+ |
2382 |
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N/A |
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HGF |
18+ |
TO-92 |
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23+ |
12+ |
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TO92 |
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询价 | ||
onsemi |
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TO-226-3,TO-92-3 长体 |
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ON |
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TO-92 |
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原厂 |
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询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-92 |
90000 |
原装原盘 |
询价 |
