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2N60LL-A-TA3-T	文件：272.3 Kbytes Page：8 Pages	2 Amps,􀀁600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION TheUTC2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60LL-A-TF3-T	文件：272.3 Kbytes Page：8 Pages	2 Amps,􀀁600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION TheUTC2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60LL-A-TM3-T	文件：272.3 Kbytes Page：8 Pages	2 Amps,􀀁600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION TheUTC2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60LL-A-TN3-R	文件：272.3 Kbytes Page：8 Pages	2 Amps,􀀁600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION TheUTC2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60LL-A-TN3-T	文件：272.3 Kbytes Page：8 Pages	2 Amps,􀀁600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION TheUTC2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60	文件：142.66 Kbytes Page：8 Pages	2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60	文件：573.06 Kbytes Page：5 Pages	N2Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET Description TheET2N60N-CeannelenhancementmodesilicongatepowerMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,solenoid,motordrivers,relaydrivers. Features ●RDS(ON)=5.00Ω@VGS=10V ●Lowgatecharge	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd Estek Electronics Co. Ltd	ESTEK
2N60	文件：224.53 Kbytes Page：6 Pages	2Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET TheUTC2N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowerupplies,PWM	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60	文件：1.78132 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET Features ●RDS(ON)	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
2N60	文件：1.34834 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
2N60	文件：1.3597 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
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2N60	文件：1.34768 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
2N60	文件：1.99345 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2N60	文件：245.73 Kbytes Page：6 Pages	2A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60	文件：201.04 Kbytes Page：2 Pages	2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●2A,600V,RDS(ON)=4Ω@VGS=10V/1A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
2N60	文件：2.84594 Mbytes Page：3 Pages	TO-251Plastic-EncapsulateMOSFET N-ChannelMOSFET Features ●RobustHighVoltageTermination ●AvalancheEnergySpecified ●DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ●IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
2N60	文件：450.29 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFET DESCRIPTION 2N602N65isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowersu	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC

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更多2N60LL-A供应商更新时间2024-5-2 11:36:00

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