2N6050中文资料PDF规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N6050三极管、2N6050晶体管、2N6050晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
12A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BDV66,BDW84A,BDX64,BDX66,BDX88A,MJ4030,TIP645,
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍数：
β>750
- 图片代号：
E-44
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
150
2N6050规格书详情
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6050, 2N6057 series types are complementary silicon Darlington power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for high gain amplifier and switching applications.
产品属性
- 产品编号：
2N6050
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 24mA， 6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-204AA（TO-3）
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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