2N6050中文资料PDF规格书
厂商型号 |
2N6050 |
参数属性 | 2N6050 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:POWER BJT |
功能描述 | isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor |
文件大小 |
257.31 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-18 10:23:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
2N6050三极管、2N6050晶体管、2N6050晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-P+Darl+Di
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
60V
- 最大电流允许值:
12A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
2
- 可代换的型号:
BDV66,BDW84A,BDX64,BDX66,BDX88A,MJ4030,TIP645,
- 最大耗散功率:
150W
- 放大倍数:
β>750
- 图片代号:
E-44
- vtest:
60
- htest:
999900
- atest:
12
- wtest:
150
产品属性
- 产品编号:
2N6050
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2V @ 24mA, 6A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 6A,3V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-204AA,TO-3
- 供应商器件封装:
TO-204AA(TO-3)
- 描述:
POWER BJT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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