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2N6050中文资料PDF规格书

2N6050
厂商型号

2N6050

参数属性

2N6050 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

Power Transistors

文件大小

347.98 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 List of Unclassifed Manufacturers
企业简称

ETC

中文名称

未分类制造商

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-18 16:12:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N6050

  • 别名:

    2N6050三极管、2N6050晶体管、2N6050晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    12A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDV66,BDW84A,BDX64,BDX66,BDX88A,MJ4030,TIP645,

  • 最大耗散功率:

    150W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    12

  • wtest:

    150

2N6050规格书详情

Power Transistors

产品属性

  • 产品编号:

    2N6050

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 24mA, 6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 6A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AA(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

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