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2N6041中文资料PDF规格书

2N6041
厂商型号

2N6041

参数属性

2N6041 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220

功能描述

POWER DERATING

文件大小

241.09 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-17 17:58:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N6041

  • 别名:

    2N6041三极管、2N6041晶体管、2N6041晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD648,BD700,BD900,BDW74B,BDX54B,FC75B,

  • 最大耗散功率:

    75W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-45

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    75

2N6041规格书详情

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

产品属性

  • 产品编号:

    2N6041 PBFREE

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 16mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 4A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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