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2N6035G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N6035G
厂商型号

2N6035G

参数属性

2N6035G 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP DARL 60V 4A TO126

功能描述

Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
TRANS PNP DARL 60V 4A TO126

文件大小

150.3 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-11 18:02:00

2N6035G规格书详情

2N6035G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的2N6035G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    2N6035G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 2A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 60V 4A TO126

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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