Complementary silicon high−power transistors are designed for general−purpose power amplifier and switching applications.

Features

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −

VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc

• Low Leakage Current

ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage

• Excellent DC Current Gain −

hFE = 20 (min) at IC = 10 Adc

• High Current Gain Bandwidth Product −

f = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc

• Pb−Free Packages are Available*

2N5886G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。安森美半导体公司制造生产的2N5886G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。