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2N5879中文资料PDF规格书

2N5879
厂商型号

2N5879

参数属性

2N5879 包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

文件大小

171.42 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 13:32:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N5879

  • 别名:

    2N5879三极管、2N5879晶体管、2N5879晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    15A

  • 最大工作频率:

    >4MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BD316,BD746A,BDW52A,2N4398,2N5683,2N6029,2N6030,2N6031,3CK015C,

  • 最大耗散功率:

    160W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    4000100

  • atest:

    15

  • wtest:

    160

2N5879规格书详情

COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS

... designed for general-purpose power amplifier and switching applications.

● Collector-Emitter Sustaining Voltage -

VCEO(sus) = 60 Vdc(Min) - 2N5879, 2N5881

= 60 Vdc(Min) - 2N5880, 2N5882

● DC Current Gain -

hFE = 20 (Min) @ IC = 6.0 Adc

● Low Collector-Emitter Saturation Voltage -

VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 7.0 Adc

● High Current - Gain Bandwidth Product -

fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 1.0 Adc

● Recommended for New Circuit Designs

产品属性

  • 产品编号:

    2N5879

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 描述:

    PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

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