2N5655中文资料PDF规格书
厂商型号 |
2N5655 |
参数属性 | 2N5655 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO126 |
功能描述 | PLASTIC NPN SILICON HIGH-VOLTAGE POWER TRANSISTOR |
文件大小 |
129.66 Kbytes |
页面数量 |
1 页 |
生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-12 20:00:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
2N5655三极管、2N5655晶体管、2N5655晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_视频输出 (Vi
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
275V
- 最大电流允许值:
0.5A
- 最大工作频率:
>10MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BF668,BF461,BF462,BF758,BF759,MJE5655,3DK205F,
- 最大耗散功率:
20W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-45
- vtest:
275
- htest:
10000100
- atest:
.5
- wtest:
20
2N5655规格书详情
PLASTIC NPN SILICON HIGH-VOLTAGE POWER TRANSISTOR
产品属性
- 产品编号:
2N5655
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
10V @ 100mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 100mA,10mV
- 频率 - 跃迁:
10MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126
- 描述:
TRANS NPN 250V 0.5A TO126
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
NA/ |
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