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2N5575

SI NPN POWER BJT, I(C)

Description:SiNPNPowerBJT,I(C)=50ATO99.9A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N5575

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

SEME-LAB

Seme LAB

2N5575

包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

SF_2N5575

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage

SEME-LAB

Seme LAB

晶体管资料

  • 型号:

    2N5575

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    70V

  • 最大电流允许值:

    80A

  • 最大工作频率:

    >0.4MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    300W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    70

  • htest:

    400100

  • atest:

    80

  • wtest:

    300

产品属性

  • 产品编号:

    2N5575

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 描述:

    POWER BJT

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更多2N5575供应商 更新时间2024-6-18 16:30:00