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2N5575 | SI NPN POWER BJT, I(C) Description:SiNPNPowerBJT,I(C)=50ATO99.9A | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N5575 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | |
2N5575 | 包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip | |
BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
开关管 (S)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
70V
- 最大电流允许值:
80A
- 最大工作频率:
>0.4MHZ
- 引脚数:
2
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
300W
- 放大倍数:
- 图片代号:
E-44
- vtest:
70
- htest:
400100
- atest:
80
- wtest:
300
产品属性
- 产品编号:
2N5575
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 描述:
POWER BJT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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10000 |
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TO-3 |
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