2N553中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
2N553 |
| 参数属性 | 2N553 封装/外壳为TO-211MB，TO-63-4，接线柱；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | GERMANIUM POWER TRANSISTORS |
| 文件大小 |
88.66 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-11 18:08:00 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N553三极管、2N553晶体管、2N553晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Ge-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
AD167,AL102,AL103,AUY21,AUY22,2N1536,2N1541,2N1546,2N1547,2N1548,2N3651,2N3617,3AD56B,
- 最大耗散功率：
35W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
35
2N553规格书详情
4 AMP GERMANIUM PNP
5 AMP GERMANIUM PNP
6 AMP GERMANIUM PNP
产品属性
- 产品编号：
2N5539
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 1.5mA， 10mA
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
接线柱安装
- 封装/外壳：
TO-211MB，TO-63-4，接线柱
- 供应商器件封装：
TO-63
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CHINA |
22+ |
TO-3 |
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