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2N5089BU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5089	文件：32.92 Kbytes Page：1 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR AMPLIFIERTRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCEO=25V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
2N5089	文件：98.34 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforlownoise,highgain,generalpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsfrom1µAto50mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5089	文件：191.24 Kbytes Page：2 Pages	PNP/NPNSILICONAFLOWNOISESMALLSIGNALTRANSISTORS PNP/NPNSILICONAFLOWNOISESMALLSIGNALTRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N5089	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistorsTO-92Case(Continued) DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N5089	文件：83.82 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5089	文件：188.71 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIER NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIER DESCRIPTION Thedevicesaredesignedforlownoise,highgain,generalpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsfrom1μA~50mA.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N5089	文件：153.14 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5089	文件：220.26 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORS NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL CDIL	CDIL
2N5089	文件：166.08 Kbytes Page：1 Pages	AMPLIFIERTRANSISTORS AMPLIFIERTRANSISTORS NPNSILICON	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N5089	文件：102.98 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforlownoise,highgain,generalpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsfrom1µAto50mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5089	文件：281.81 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistor(NPNSilicon) AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5089	文件：123.79 Kbytes Page：4 Pages	SMALLSIGNALGENERALPURPOSETRANSISTORS SMALLSIGNALGENERALPURPOSETRANSISTORS NPNEpitaxialSiliconTransistors Features •ApplicationforAmplifierCircuit,SwitchingCircuit,Inverter •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON	TAITRON
2N5089G	文件：83.82 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
H2N5089	文件：35.79 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description AmplifierTransistor.	HSMC 华昕	HSMC
ST2N5089	文件：351.35 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintoonegroup accordingtoitDCcurrentgain.Ascomplementary typethePNPtransistorST2N5086andST 2N5087arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe ma	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

产品属性

产品编号：
2N5089BU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
400 @ 100µA，5V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3

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