2N4922G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
2N4922G |
参数属性 | 2N4922G 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1A TO126 |
功能描述 | Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors |
文件大小 |
198.11 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-6 16:32:00 |
2N4922G规格书详情
2N4922G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的2N4922G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
2N4922G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
600mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 500mA,1V
- 频率 - 跃迁:
3MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126
- 描述:
TRANS NPN 60V 1A TO126
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
TO-225 |
8880 |
原装认准芯泽盛世! |
询价 | ||
ON |
08+(pbfree) |
TO-225 |
8866 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-225 |
8080 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
N/A |
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ON(安森美) |
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NA |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-225 |
8080 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-225 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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ON |
23+ |
TO-225AA |
7750 |
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PTIF |
2310+ |
SOP/DIP |
3699 |
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ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-225 |
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