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2N3996中文资料PDF规格书

2N3996
厂商型号

2N3996

参数属性

2N3996 封装/外壳为TO-111-4,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR

文件大小

181.57 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-29 20:20:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N3996

  • 别名:

    2N3996三极管、2N3996晶体管、2N3996晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    特殊封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    >40MHZ

  • 引脚数:

    4

  • 可代换的型号:

    BLX19,2N1724,,2N5002,2N5004,2N5284,2N5285,3DK204B,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    F-3

  • vtest:

    100

  • htest:

    40000100

  • atest:

    5

  • wtest:

    30

产品属性

  • 产品编号:

    2N3996

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/374

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 1A,2V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    TO-111-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    TO-111

  • 描述:

    POWER BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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