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G2N3906	文件：206.66 Kbytes Page：1 Pages	TheG2N3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
H2N3906	文件：37 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. AbsoluteMaximumRatings •MaximumTemperatures StorageTemperature.............................................................-55~+150°C JunctionTemperature...........................	HSMC 华昕	HSMC
PJ2N3906	文件：195.08 Kbytes Page：3 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
PJ2N3906CT	文件：195.08 Kbytes Page：3 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
PJ2N3906CX	文件：195.08 Kbytes Page：3 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
ST2N3906	文件：168.12 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. AscomplementarytypestheNPNtransistors 2N3903and2N3904arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
YS2N3906	文件：484.85 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP)	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN

详细参数

型号：
2N3906TFR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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