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2N3904	文件：98.77 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904	文件：45.55 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistor NPNswitchingtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplement:2N3906. 1.Lowcurrent(max.200mA) 2.Lowvoltage(max.40V).	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N3904	文件：32.67 Kbytes Page：2 Pages	NPNSIMALLSIGNALTRANSISTOR	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
2N3904	文件：166.32 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
2N3904	文件：192.87 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. •LowCollectorOutputCapacitance	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3904	文件：52.28 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor(Generalsmallsignalapplication) Descriptions •Generalsmallsignalapplication •Switchingapplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.3V(MAX.)@IC=50mA,IB=5mA •Lowcollectoroutputcapacitance:Cob=3pF(Typ.)@VCB=5V,IE=0,f=1MHz •ComplementarypairwithSTA3906A	AUK AUK	AUK
2N3904	文件：96.49 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •MoistureSensitivityLevel1 •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHSCompliant.SeeOrderingInformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N3904	文件：106.09 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N3904	文件：98.74 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors NPNSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
2N3904	文件：56.42 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N3904	文件：581.3 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors NPNGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2N3904	文件：112.93 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALTRANSISTORSNPN FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications. ♦Ascomplementarytype,thePNPtransistor2N3906isrecommended. ♦Onspecialrequest,thistransistorisalsomanufacturedinthepinconfigurationTO-18. ♦Thistransistorisalsoavailableinthe	GE GE Industrial Company	GE
2N3904	文件：85.66 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904	文件：47.71 Kbytes Page：3 Pages	NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIER FEATURES Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PC(MAX)=625mW *Complementaryto2N3906	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N3904	文件：65.09 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALNPNTRANSISTOR 1.SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR 2.TO-92PACKAGESUITABLEFORTHROUGH-HOLEPCBASSEMBLY 3.THEPNPCOMPLEMENTARYTYPEIS2N3906 APPLICATIONS 1.WELLSUITABLEFORTVANDHOMEAPPLIANCEEQUIPMENT 2.SMALLLOADSWITCHTRANSISTORWITHHIGHGAINANDLOWSATURATIONVOLTAGE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2N3904	文件：211.15 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=200mA •Complimentary(PNP)device:2N3906 •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N3904	文件：194.65 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNEpitaxialGeneralPurposeAmplifier	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2N3904	文件：380.22 Kbytes Page：8 Pages	MediumIntegratedPowerSolutionUsingaDualDC/DCConverterandanLDO	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
2N3904	文件：69.61 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES •PowerDissipationPCM:625mW(Ta=25°C) •CollectorCurrentICM:200mA •Collector–BaseVoltageV(BR)CBO:60V	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2N3904	文件：98.24 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

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更多2N3904E-RTK/P供应商更新时间2024-4-30 16:12:00

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