2N3866A分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N3866A |
| 参数属性 | 2N3866A 封装/外壳为TO-205AD，TO-39-3 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO39 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 文件大小 |
331.25 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Microsemi Corporation |
| 企业简称 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名称 | 美高森美公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-1 23:00:00 |
2N3866A规格书详情
2N3866A属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。美高森美公司制造生产的2N3866A晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
2N3866A
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
30V
- 频率 - 跃迁：
400MHz
- 功率 - 最大值：
1W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
400mA
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-39
- 描述：
RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO39
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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