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2N3859A

NPNGeneralPurposeAmplifier

NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdevicedesignedforuseasgeneralpurposeamplifierandswitchesrequiringcollectorcurrentsto300mA. •SourcedfromProcess10. •SeePN100forcharacteristics.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

2N3859A

SILICONTRANSISTORS

SiliconTransistors TheGE/RCA2N3858,2N3859and2N3860areplanarepitaxialpassivatedNPNsilicontransistorsdesignedprimarllyforAMradioI.F.andconverterapplications.ThesetypesaresuppliedinJEDECto-98package.

GESSGE Solid State

GE Solid State

2N3859A

SmallSignalTransistors

SmallSignalTransistors

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

2N3859A

NPNGeneralPurposeAmplifier

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

2N3859A

SiliconTransistors

SiliconTransistorsNPN

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    2N3859A_Q

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多2N3859A_Q供应商 更新时间2024-6-5 13:30:00