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MTB23P06	文件：249.1 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS TMOSV™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB23P06	文件：280.55 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponents	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB23P06E	文件：280.55 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponents	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB23P06E	文件：332.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTB23P06V	文件：333.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTB23P06V	文件：263.53 Kbytes Page：10 Pages	P?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB23P06V	文件：1.32134 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTB23P06V	文件：249.1 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS TMOSV™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP23P06V	文件：192.7 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.120OHM TMOSV™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP23P06V	文件：81.75 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET23Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP23P06V	文件：74.38 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET23Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP23P06VG	文件：955.83 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP23P06VG	文件：74.38 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET23Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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深圳市米特尔科技有限公司	23P-HQM-1	JST/日压	22+	连接器	728922	代理-优势-原装-正品-现货*期货	询价

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