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PHB23NQ10T	文件：99.37 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:- •d.c.tod.c.converters •switchedmodepowers	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PHX23NQ10T	文件：61.65 Kbytes Page：8 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticfullpackenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching Applications:- •d.c.tod.c.converters •switchedmodepowersupplies •T.V.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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