| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
TCXOEFCStandardStandardSurfaceMountPackageLowPhaseNoiseoptionLowProfile Features EFCStandard StandardSurfaceMountPackage LowPhaseNoiseoption LowProfile TypicalApplications PCSBaseStations LandMobileRadio CellularTelephony RadiointheLocalLoop | Vectron VECTRON | Vectron | ||
2.5-VTO3.3-VHIGH-PERFORMANCECLOCKBUFFER | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
2.5-VTO3.3-VHIGH-PERFORMANCECLOCKBUFFER | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
High-PerformanceClockBuffer | TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI) | TI1 | ||
2.5-VTO3.3-VHIGH-PERFORMANCECLOCKBUFFER | TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI) | TI1 | ||
2.5-VTO3.3-VHIGH-PERFORMANCECLOCKBUFFER | TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI) | TI1 | ||
2.5-VTO3.3-VHIGH-PERFORMANCECLOCKBUFFER | TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI) | TI1 | ||
High-PerformanceClockBuffer | TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI) | TI1 | ||
2.5-VTO3.3-VHIGH-PERFORMANCECLOCKBUFFER | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
2.5-VTO3.3-VHIGH-PERFORMANCECLOCKBUFFER | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
High-PerformanceClockBuffer | TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI) | TI1 | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,6.2A,RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=38mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=55mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSOP-6package. | CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,6.1A,RDS(ON)=34mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant. RDS(ON)=45mW@VGS=2.5V. RDS(ON)=60mW@VGS=1.8V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,4.8A,RDS(ON)=34mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=45mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=1.8V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,4.8A,RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=60mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package. | CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,4.8A,RDS(ON)=34mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=45mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=1.8V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT4.8Ampere FEATURE *Smallflatpackage.(SC-59) *HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). *Ruggedandreliable. *Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION *Servomotorcontrol. *PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplicatio | CHENMKOCHENMKO CHENMKO | CHENMKO | ||
SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS | ZPSEMI ZP Semiconductor | ZPSEMI | ||
N-ChannelMOSFET | JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd | JIANGSU | ||
T-13/4Bi-PinBase(.125) | CMLCML CML | CML |
详细参数
- 型号：
2310B
- 功能描述：
电线导管 Blank End Fitting
- RoHS：
否
- 制造商：
Panduit
- 类型：
Slotted SideWall Open finger design wiring cut
- 材料：
Polypropylene
- 颜色：
Light Gray
- 外部导管宽度：
25 mm
- 外部导管高度：
25 mm
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APPOTECH |
21+ |
QFN32 |
8000 |
全新原装 公司现货 价格优 |
询价 | ||
ROHS |
QFN |
6500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
VB |
2019 |
SPT-23 |
55000 |
绝对原装正品假一罚十! |
询价 | ||
VBSEMI |
19+ |
SOT-23 |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
询价 | ||
22+ |
SOP14S |
3629 |
原装优势!房间现货!欢迎来电! |
询价 | |||
Apex |
1824+ |
NA |
16 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-3P |
8000 |
全新原装现货,欢迎来电咨询 |
询价 | ||
ST品牌 |
2016+ |
TO-3PF |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
9280 |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-3PF |
8900 |
英瑞芯只做原装正品!!! |
询价 |
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