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BC2305	文件：878.21 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
BLM2305	文件：232.43 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
BU2305	文件：301.7 Kbytes Page：13 Pages	CRtimer	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU2305F	文件：301.7 Kbytes Page：13 Pages	CRtimer	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CEH2305	文件：718.13 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-4.9A,RDS(ON)=52mW@VGS=-10V. RDS(ON)=65mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=119mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEH2305	文件：308.1 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEH2305A	文件：527.45 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-4.9A,RDS(ON)=52mW@VGS=-10V. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant. RDS(ON)=85mW@VGS=-2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2305	文件：530.84 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-4A,RDS(ON)=55mW@VGS=-10V. RDS(ON)=70mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2305	文件：288.64 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-4A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=70mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CES2305A	文件：424.9 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-4A,RDS(ON)=52mW@VGS=-10V. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant. RDS(ON)=85mW@VGS=-2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHM2305PT	文件：319.19 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT4Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-59) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CIT2305	文件：954.3 Kbytes Page：1 Pages	SelfDrivePiezoTransducer(AC)	CANOPUSCanopus Electronics (H.K.) Ltd. Canopus Electronics (H.K.) Ltd.	CANOPUS
CJ2305	文件：1.033599 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJ2305	文件：1.22848 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJK2305	文件：1.28385 Mbytes Page：3 Pages	P-Channel12-V(D-S)MOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJK2305	文件：931.66 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel8-V(D-S)MOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CM2305	文件：220.86 Kbytes Page：1 Pages	T-13/4Bi-PinBase(.125)	CMLCML CML	CML
CM2305	文件：218.38 Kbytes Page：1 Pages	T-13/4Bi-PinBase(.125) T-13/4Bi-PinBase(.125)	CMLCML CML	CML
CMM2305	文件：207.27 Kbytes Page：2 Pages	800TO2700MHZBROADBANDDRIVERAMPLIFIER [CELERITEK] Description TheCeleritekCMM2305isaflexiblebroadbanddriveramplifier.Packagedinaminiaturelow-costMSOP-8package,thisdeviceisidealforcellularandPCShandsetswherespaceandefficiencyareprimaryconcerns. Applications ❐CellularHandsets ❐PCSHandsets	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
CMN2305M	文件：1.03998 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2305AGN-HF供应商更新时间2024-5-23 14:50:00

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