| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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TOSHIBATO-220 |
5000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
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TOSHIBATO-220F |
8900 |
22+ |
原厂/代理渠道价格优势 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
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TOSTO-220 |
4000 |
11+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220F |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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TOSHIBATO-220F |
6000 |
11+ |
原装正品现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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TOSHIBA/东芝TO220F |
32500 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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东芝TO-220F |
575 |
11+ |
只做原装正品 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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TOSHIBATO-220F |
19700 |
2019 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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TOSTO-220 |
20000 |
23+ |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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TOSHIBATO-220F |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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TOSHIBATO-220F |
64000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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TOS东芝TO-220 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220 |
50000 |
22+ |
公司只做原装正品!现货库存!假一罚十! |
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深圳市诚中源科技有限公司5年
留言
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TOSHIBATO-220F |
13568 |
22+ |
实力现货,随便验! |
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深圳市深创辉科技有限公司16年
留言
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RENESASSOT-353 |
3000 |
1403 |
原装正品现货库存13717145215 苏小姐 QQ:2850151741 |
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深圳市华芯购电子有限公司3年
留言
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TOSHIBATO-220 |
5000 |
22+ |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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TOSTO-220 |
200 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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TOSHIBATO-220F |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220F |
30000 |
21+ |
只做原装假一赔十 |
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深圳硅原半导体有限公司8年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220F |
23200 |
2022+ |
原厂原盒 原标现货 诚心经营 终身质保 |
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2SK3569MOS(场效应管)资讯
2SK3569
2SK3569，TOSHIBA,TO-220,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291
2SK3569 深圳市裕信利电子有限公司
制造商：东芝 产品类别：MOSFET RoHS指令：符合RoHS详细信息 晶体管极性：N沟道 漏源击穿电压：600V 源极击穿电压：30V 连续漏极电流：10A RDS（ON）：750毫 配置：单 安装风格
2SK3569MOS(场效应管)中文资料Alldatasheet PDF
更多2SK3569功能描述:MOSFET N-Ch 600V 10A Rdson 0.75 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK3569(Q)功能描述:MOSFET N-Ch 600V 10A Rdson 0.75 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK3569(Q,M)功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK3569(S4TET,Q,M)制造商:Toshiba America Electronic Components
2SK3569(S4TETV,X,M制造商:Toshiba America Electronic Components 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET
2SK3569(S4TETV,X,S制造商:Toshiba America Electronic Components
2SK3569(STA4,Q,M)制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR
2SK3569(STA4,X,S)制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR
2SK3569Q制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
2SK3569STA4QM制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:N-CH MOS TYPE 600V 10A RDS=0.54OHM
