| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市硅诺电子科技有限公司1年
留言
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NECTO-263 |
3200 |
2021 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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NECTO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NECNA/ |
13818 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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NECTO263 |
20500 |
20+ |
汽车电子原装主营-可开原型号增税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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NECTO263 |
143 |
14+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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NECTO-263 |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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NECTO-220AB |
7600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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NECTO-220F |
594 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NEC |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VBT0-220 |
8230 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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NECTO-220AB |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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NECTO-220 |
35890 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VBT0-220 |
8230 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市吉华创芯电子科技有限公司2年
留言
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NEC |
6000 |
2021+ |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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RENESASTO-220 |
33630 |
2020+ |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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NECTO-220F |
110 |
07+ |
旗舰店 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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NECTO220 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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NEC |
8858 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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NEC/Renesas Electronics AmericTO-220F |
594 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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RT0-TO-220 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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更多2SK3479制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3479-AZ制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 100V 83A 11m@10V TO220AB Bulk 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
2SK3479-S制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3479-Z制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3479-Z-AZ制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 100V 83A 11m@10V TO220SMD Bulk 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 100V 83A 11m@10V TO220SMD Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,100V,83A,8.8m ohm,TO-220AB 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 83A 3-Pin(2+Tab) TO-220 SMD
2SK3479-Z-E1-AZ功能描述:MOSFET 100V N-CH TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3479-Z-E2-AZ功能描述:MOSFET 100V N-CH TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3479-ZJ制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3479-ZJ-E1-A制造商:Renesas Electronics Corporation
2SK3479-ZJ-E1-AZ功能描述:MOSFET N-CH 100V 83A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
