| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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RENESASTO-263 |
54830 |
2020+ |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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NECTO-263 |
35890 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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VBSEMI/台湾微碧TO-220 |
1005 |
23+ |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
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NEC |
8858 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
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NEC |
6540 |
2021+ |
原装现货/欢迎来电咨询 |
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深圳兆威电子有限公司5年
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VBTO-220 |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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NECTO-220SMD |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
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NECTO-263 |
12000 |
2105+ |
原装正品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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NECTO-263 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscD2PAK/TO-263 |
1000 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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NECTO-263 |
7300 |
2022+ |
原装现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECTO-263 |
503151 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NEC-日本电气TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市九方航科技有限公司3年
留言
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VBSEMITO-220 |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECTO-263 |
503151 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
89950 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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RENESAS/瑞萨TO-263 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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NTO-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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NTO-TO-220 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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NTO-220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
2SK3479-Z采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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2SK3479-Z中文资料Alldatasheet PDF
更多2SK3479-Z制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3479-Z-AZ制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 100V 83A 11m@10V TO220SMD Bulk 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 100V 83A 11m@10V TO220SMD Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,100V,83A,8.8m ohm,TO-220AB 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 83A 3-Pin(2+Tab) TO-220 SMD
2SK3479-Z-E1-AZ功能描述:MOSFET 100V N-CH TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3479-Z-E2-AZ功能描述:MOSFET 100V N-CH TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3479-ZJ制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3479-ZJ-E1-A制造商:Renesas Electronics Corporation
2SK3479-ZJ-E1-AZ功能描述:MOSFET N-CH 100V 83A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
