| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TOSHIBA/东芝TO3P |
7906200 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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TOSHIBATO247 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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TOSHIBATO-3P |
9526 |
23+ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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TOSHIBA/东芝TO-3P |
12000 |
23+ |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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TOSHIBA/东芝TO3P |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TOSHIBA/东芝TO3P |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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TOSHIBA/东芝TO-3P |
30 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3P |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3P |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220F |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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RENESAS |
60000 |
08PB |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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TOSTO-3P |
6200 |
23+ |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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TOSHIBA东芝to220 |
133044 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
35900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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TOS3P |
20000 |
23+ |
正品原装货价格低qq:2987726803 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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76 |
进口原装-真实库存-价实 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-3P |
608900 |
TOS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TOSTO-3P |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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TOSHIBATO-220 |
12000 |
1305+ |
公司特价原装现货 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3P(N) |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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2SK2607图片
2SK2607中文资料Alldatasheet PDF
更多2SK2607功能描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK2607(F)制造商:Toshiba 功能描述:Nch 800V 9A 1.2@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N TO-3P 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET, N, TO-3P 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET, N, TO-3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:150W ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET,Nch,800V/9A/1.2ohm,TO-3P(N)
2SK2607(F,T)功能描述:MOSFET N-Ch FET RDS 1.0 Ohm IDSS 100uA VDS 640V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
