| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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CJTO-220 |
172 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司11年
留言
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TOSHIBA/东芝TO220 |
47664 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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TOSHIBA/东芝TO-220 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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CJ(江苏长电/长晶)TO220 |
6000 |
23+ |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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ISCNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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TOS原厂封装 |
5500 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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TOSHIBA/东芝TO220 |
20452 |
18+ |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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TOSTO-220F |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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TOSHIBA/东芝TO-220 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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TOS小功率三极管 |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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TOSHIBA/东芝TO220F |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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TOSSMD |
20000 |
2018+ |
一级代理原装现货假一罚十 |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220F |
75 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司3年
留言
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ST/意法 |
98000 |
TO2200F |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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TOSHIBA/东芝NA/ |
25607 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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TOSHIBATO220 |
28659 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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TOSHIBATO220 |
8890 |
23+ |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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TOSHIBA品牌TO-220F |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
2SD2012采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
2SD2012图片
2SD2012中文资料Alldatasheet PDF
更多2SD2012功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD2012(F)制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SD2012(F,M)功能描述:两极晶体管 - BJT NPN VCEO 60V VCE 0.4 Ic 2A Audio Freq App RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD2012,F(J制造商:Toshiba 功能描述:The same specification as 2SD2012(F) Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:0
2SD2012_03制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTOR
2SD2012_06制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type
2SD2012_09制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Audio Frequency Power Amplifier Applications
2SD2012FM制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Audio Frequency Power Amplifier Applications
产品属性
- 产品编号：
2SD2012
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，5V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220F
- 描述：
TRANS NPN 60V 3A TO220F
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
3MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD935F,2SC3746,2SD1266,2SD1406,2SD1585,2SD1913,2SD2061,
- 最大耗散功率：
25W
- 放大倍数：
β=100-320
- 图片代号：
B-45
- vtest：
60
- htest：
3000000
- atest：
3
- wtest：
25
