| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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标准国际(香港)有限公司16年
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ROHMTO-92 |
1963 |
06+ |
公司原装现货 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
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Rohmto92 |
3000 |
06+ |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
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iscTO-220F |
5000 |
2024+ |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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PANASONICSOT23 |
8968 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
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ROHM/罗姆SOT323 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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上海专毅电子科技有限公司5年
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ROHMSOT323 |
5000 |
17+ |
ROHM大量原装现货,QQ:82128949电话:17621633780 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
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ROHMSOT23 |
910 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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ROHMSEMICONDUCTORNA |
6000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ROHM/罗姆SOT-346T |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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ROHM/罗姆SOT-323 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ROHM/罗姆TSMT3 |
2775 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
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ROHMUMT3 (SOT-323) (SC-70) |
6000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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RENESAS/瑞萨SOT343 |
7906200 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT89 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
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ROHM/罗姆TO-252 |
5980 |
2021+ |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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22 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
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ROHM/罗姆SOT-89 |
11793 |
21+ |
全新原装现货 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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RohmNA |
715 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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ROHMTO-252 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
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3000 |
19+ |
UMT3 (SOT-323) (SC-70) |
2SC58采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
2SC58图片
2SC5868TLQ价格
2SC5868TLQ价格：￥0.5182品牌：Rohm Semiconductor
生产厂家品牌为Rohm Semiconductor的2SC5868TLQ多少钱，想知道2SC5868TLQ价格是多少？参考价：￥0.5182。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，2SC5868TLQ批发价格及采购报价，2SC5868TLQ销售排行榜及行情走势，2SC5868TLQ报价。
2SC5876U3T106R资讯
2SC5876U3T106R中文资料Alldatasheet PDF
更多2SC5808-TL-E制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 2.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 700V 2.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC5810(TE12L,F)功能描述:MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SC581300L功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1.5A MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5819(TE12L,F)制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62
2SC582制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC5823-TL-E制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 1.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC5824T100Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 60V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5824T100R功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 60V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5825制造商:ROHM Semiconductor
2SC5825TLQ功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 3A NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
射频/高频放大 （HF）_开关管 （S）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
0.06A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BF257,BF336,BF657,BFT57,BFT47,2N5059,
- 最大耗散功率：
0.6W
- 放大倍数：
- 图片代号：
C-40
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
.06
- wtest：
.6
