选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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TOSHIBA-东芝TO-236-3 |
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24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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Toshiba Semiconductor and StorTO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
9350 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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TOSHIBASOT23-3 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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2SC3324GRTE85LF价格:¥0.4191品牌:Toshiba
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2SC3324GRTE85LF中文资料Alldatasheet PDF
更多2SC3324GRTE85LF功能描述:两极晶体管 - BJT Audio Freq Low Audio Freq Low RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
2SC3324GRTE85LF
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 1mA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 2mA,6V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236
- 描述:
TRANS NPN 120V 0.1A TO236